[16a-A25-1~16] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[16a-A25-15] Effect of SiN_x anti-reflection films and the direction of flash pulse irradiation on the crystallization of a-Si films by FLA

〇Yuki Sonoda¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:crystallization, flash lamp annealing

FLAによるガラス基板上でのa-Si膜の結晶化において、反射防止膜としてCat-CVD SiN_xを用いることによる、パルス光エネルギーの低減を試みた。同じ強度のパルス光を照射して比較を行った結果、SiN_x反射防止膜がある試料においてのみ結晶化を示すラマンスペクトルが現れたことから、SiN_x反射防止膜利用の有効性を確認した。また、SiN_xの有無、およびランプ光の入射方向によらず、同等のpoly-Si膜が形成されることが明らかとなった。