[16a-A25-1~16] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[16a-A25-15] FLA でのa-Siの結晶化におけるSiN_x反射防止膜とパルス光入射方向の影響

〇園田 裕生¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：結晶化、フラッシュランプアニール

FLAによるガラス基板上でのa-Si膜の結晶化において、反射防止膜としてCat-CVD SiN_xを用いることによる、パルス光エネルギーの低減を試みた。同じ強度のパルス光を照射して比較を行った結果、SiN_x反射防止膜がある試料においてのみ結晶化を示すラマンスペクトルが現れたことから、SiN_x反射防止膜利用の有効性を確認した。また、SiN_xの有無、およびランプ光の入射方向によらず、同等のpoly-Si膜が形成されることが明らかとなった。