[16a-A32-1~9] 17.3 層状物質

[16a-A32-2] [講演奨励賞受賞記念講演] h-BNの絶縁破壊電界はなぜダイアモンドより高いのか？

〇服部 吉晃¹、谷口 尚²、渡邊 賢司²、長汐 晃輔^1,3 (1.東大マテリアル、2.NIMS、3.JST-さきがけ)

キーワード：絶縁破壊、h-BN

グラフェンやその他の2次元物質に理想的な基板として認識されているh-BNは層状絶縁物質であり，大きな結晶構造の異方性を持っているために結晶構造の影響を調べる上で理想的なモデル物質であるといえる．これまでにh-BNのc軸に垂直方向の電界と水平方向の電界をそれぞれ印加した破壊試験を行い，破壊電界を計測し4倍程度の破壊強度の異方性を有していることがわかった．本講演では，sp³からsp²への構造変化を考えることで絶縁破壊の異方性の全体像を捉えたい．