[16a-A33-1~9] 17.2 グラフェン

△ [16a-A33-2] Cu箔基板上グラフェンCVD成長における核発生支配要因

〇平良 隆信¹、小幡 誠司²、斉木 幸一朗^1,2 (1.東大院理、2.東大新領域)

キーワード：グラフェン、化学気相成長法、核発生

大面積・単結晶・単層のグラフェンを作製するためのCu基板上CVD過程ではグラフェンの核密度の低減が必要である。本研究では核発生の要因を探るため、Cu箔基板をAr⁺イオン照射し、その後のCVD成長における核発生を熱放射光学顕微法によりリアルタイム観察した。結果、Ar⁺イオン照射は核密度を大きく低減することがわかった。Cu表面の光電子分光の結果も併せて、グラフェンCVD成長の核発生要因について議論する。