10:30 AM - 10:45 AM
[16a-A35-6] Si photodiode fabricated by laser doping using boron doped Si ink for spectra sensitivity control
Keywords:photodiode, laser doping
レーザードーピングは室温、大気下での簡易なプロセスであるとともにドーパント拡散深さのコントロールやリソグラフィなどの複雑な工程を取らずにパターン化されたドーピングエリアを形成することが出来る。不純物ドーピングを利用した素子としてSiフォトダイオードがあるが、この不純物のドーピング方法としては一般に、熱拡散法やイオン注入法が用いられている。本研究ではBoron doped Si inkを用いて塗布プロセスとレーザードーピングを行うことで、Siフォトダイオードの作製を実証し、その特性の評価を行った。