[16a-A35-1~10] 3.13 Semiconductor optical devices

[16a-A35-6] Si photodiode fabricated by laser doping using boron doped Si ink for spectra sensitivity control

〇Yu Kimura¹, Yoshinori Ikeda¹, Takashi Shiro^1,2 (1.TEIJIN LIMITED, 2.NanoGram Corporation)

Keywords:photodiode, laser doping

レーザードーピングは室温、大気下での簡易なプロセスであるとともにドーパント拡散深さのコントロールやリソグラフィなどの複雑な工程を取らずにパターン化されたドーピングエリアを形成することが出来る。不純物ドーピングを利用した素子としてSiフォトダイオードがあるが、この不純物のドーピング方法としては一般に、熱拡散法やイオン注入法が用いられている。本研究ではBoron doped Si inkを用いて塗布プロセスとレーザードーピングを行うことで、Siフォトダイオードの作製を実証し、その特性の評価を行った。