[16a-A35-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[16a-A35-6] ボロンレーザードーピングによるSiフォトダイオード及びその分光感度制御

〇木村 友¹、池田 吉紀¹、城 尚志^1,2 (1.帝人株式会社、2.ナノグラムコーポレーション)

キーワード：フォトダイオード、レーザードーピング

レーザードーピングは室温、大気下での簡易なプロセスであるとともにドーパント拡散深さのコントロールやリソグラフィなどの複雑な工程を取らずにパターン化されたドーピングエリアを形成することが出来る。不純物ドーピングを利用した素子としてSiフォトダイオードがあるが、この不純物のドーピング方法としては一般に、熱拡散法やイオン注入法が用いられている。本研究ではBoron doped Si inkを用いて塗布プロセスとレーザードーピングを行うことで、Siフォトダイオードの作製を実証し、その特性の評価を行った。