[16a-B1-1~13] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [16a-B1-2] Effect of drain electrode shape on breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMTs

〇Taisei Yamazaki¹, Yudai Suzuki¹, Joel Asubar¹, Hirokuni Tokuda¹, Masaaki Kuzuhara¹ (1.University of Fukui)

Keywords:AlGaN/GaN HEMT, Breakdown Voltage, electrode shape

AlGaN/GaN HEMT は高耐圧かつ低損失のパワースイッチング用デバイスとして期待されている。大電流特性を獲得するためにマルチフィンガー電極パターンが広く使われている。しかし、総ゲート幅が大きくなるにつれて、耐圧が減少することが確認された。本研究ではこの耐圧減少を抑えるため、新しい電極形状のAlGaN/GaN HEMT を作製し、耐圧特性評価を行った。