[16a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16a-B1-2] ドレイン電極形状がAlGaN/GaN HEMTsの耐圧に与える影響

〇山崎 泰誠¹、鈴木 雄大¹、Asubar Joel¹、徳田 博邦¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：AlGaN/GaN HEMT、耐圧、電極形状

AlGaN/GaN HEMT は高耐圧かつ低損失のパワースイッチング用デバイスとして期待されている。大電流特性を獲得するためにマルチフィンガー電極パターンが広く使われている。しかし、総ゲート幅が大きくなるにつれて、耐圧が減少することが確認された。本研究ではこの耐圧減少を抑えるため、新しい電極形状のAlGaN/GaN HEMT を作製し、耐圧特性評価を行った。