[16a-B1-1~13] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [16a-B1-3] Effect of groove depth on current collapse in 3DFP AlGaN/GaN HEMTs

〇(M2)atsuya suzuki¹, Asubar Joel¹, Hirokuni Tokuda¹, Masaaki Kuzuhara¹ (1.University of Fukui)

Keywords:AlGaN/GaN HEMT, Current Collapse, 3DFP

本研究ではこの3DFPの持つ溝の深さが電流コラプスに及ぼす効果を確認するために、3DFPを用いたAlGaN/GaN HEMTにおける溝のエッチング深さを変化させたデバイスを試作し、電流コラプスの評価を行った。測定結果より、3DFP構造においてFP金属が2DEG層に近接した場合に電流コラプスを抑制する効果が強められていると考えられる。これは、3DFPが絶縁膜を挟んで2DEG層の電子を直接引き付けることで2DEG層に電子を供給し、電流コラプスによるオン抵抗の悪化を防いでいるためだと考えられる。