[16a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16a-B1-3] 三次元FP構造AlGaN/GaN HEMTの電流コラプスに与える溝エッチング深さの効果

〇(M2)鈴木 敦也¹、Joel Asubar¹、徳田 博邦¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：AlGaN/GaN HEMT、電流コラプス、3DFP

本研究ではこの3DFPの持つ溝の深さが電流コラプスに及ぼす効果を確認するために、3DFPを用いたAlGaN/GaN HEMTにおける溝のエッチング深さを変化させたデバイスを試作し、電流コラプスの評価を行った。測定結果より、3DFP構造においてFP金属が2DEG層に近接した場合に電流コラプスを抑制する効果が強められていると考えられる。これは、3DFPが絶縁膜を挟んで2DEG層の電子を直接引き付けることで2DEG層に電子を供給し、電流コラプスによるオン抵抗の悪化を防いでいるためだと考えられる。