[16a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-B1-5] ドレイン電流DLTS,MCTS測定によるSi基板上AlGaN/GaN HEMT のトラップ評価

〇高林 洸太¹、徳田 豊¹ (1.愛知工大)

キーワード：AlGaN/GaN HEMT、DLTS、MCTS

Si基板上AlGaN/GaN HEMTに対し、ドレイン電流DLTS,MCTS測定を行いトラップを評価した。また、AlGaN/GaN HEMTでは3つの電子トラップE1’(0.24 eV),E6’(0.44 eV),E7’(0.82 eV)、2つの正孔トラップH1’(0.86 eV),H3’(0.25 eV)が観測された。Si基板上n-GaNショットキーダイオードでは、3つの電子トラップE1(0.24 eV),E6(0.44 eV),E7(0.81 eV)、2つの正孔トラップH1(0.86 eV),H3(0.25 eV)が観測された。E1とE1’、E6とE6’、H1とH1’、H3とH3’では対応が確認できた。トラップE7’は信号波形がブロードであり、E7を含む複数のトラップの存在を示唆している。