[16a-B10-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[16a-B10-9] Carrier transport properties and thermal conductance of polycrystalline GeSn

〇Noriyuki Uchida¹, Yoshinobu Miyazaki¹, Tatsuro Maeda¹, Kouichi Fukuda¹, Junichi Hattori¹, YUji Ohishi², Manabu Ishimaru⁴, Ruben R. Lieten³, Jean-Pierre Locquet³ (1.NERI-AIST, 2.Osaka univ., 3.KU Leuven, 4.Kyutech)

Keywords:GeSn

Sn濃度を増加することで多結晶GeSnの結晶化温度は低くなるものの、グレイン成長がSnの析出により阻害される傾向にあり、キャリア移動度や熱伝導率の低下を招く。一方で、Sn濃度が5％程度の場合、Snの析出が抑えられ結晶グレインが大型化することで、キャリア移動度も熱伝導率も高い状態が実現され、トランジスタ応用に適性の高い多結晶GeSn膜を形成できる。