[16a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16a-B10-9] 多結晶GeSnのキャリア輸送特性と熱伝導率

〇内田 紀行¹、宮崎 吉宣¹、前田 辰郎¹、福田 浩一¹、服部 淳一¹、大石 佑治²、石丸 学⁴、Ruben R. Lieten³、Jean-Pierre Locquet³ (1.産総研ナノエレ、2.大阪大院、3.ル―ベン大、4.九工大)

キーワード：ゲルマニウムスズ化合物

Sn濃度を増加することで多結晶GeSnの結晶化温度は低くなるものの、グレイン成長がSnの析出により阻害される傾向にあり、キャリア移動度や熱伝導率の低下を招く。一方で、Sn濃度が5％程度の場合、Snの析出が抑えられ結晶グレインが大型化することで、キャリア移動度も熱伝導率も高い状態が実現され、トランジスタ応用に適性の高い多結晶GeSn膜を形成できる。