[16a-B12-1~12] 3.12 Nanoscale optical science and near-field optics

△ [16a-B12-3] The processing condition dependence of EL spectrum of Si LED using dressed-photon-phonon

〇(P)JunHyoung Kim¹, Tadashi Kawazoe², Motoichi Ohtsu¹ (1.Univ. of Tokyo, 2.NPEO)

Keywords:dressed photon, Si, LED

近年Si内部のドーパント周りのドレスト光子と局在フォノンの相互作用に着目することで、間接遷移型であるSi中の光学遷移確率を高め、発光素子を実現できることが実証されている。しかし加工手法であるドレスト光子フォノン援用アニールの最適化やメカニズムの理解には不十分な部分がまだ多く、疑問として残っている。本講演ではドレスト光子フォノン援用アニール時の加工条件依存性について調べることで、上記の疑問に答える。