[16a-B5-1~13] 12.1 作製・構造制御

△ [16a-B5-13] ペンタセンOFETのデバイス特性における窒素添加LaB₆界面制御層厚依存性

〇(D)前田 康貴¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大工学院)

キーワード：ペンタセン、LaB6

前回に我々は、窒素添加LaB₆界面制御層を導入したペンタセンOFETに関して検討を行い、窒素添加LaB₆界面制御層がしきい値電圧およびS値の改善に寄与することを報告した。今回、窒素添加LaB₆界面制御層厚依存性について検討し、p型ペンタセンOFETのデバイス特性に関する評価を行ったので報告する。