[16a-B9-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [16a-B9-1] Siオフ基板上MOVPE成長Geのアニールによる表面ラフネスの低減

〇中尾 亮^1,2、山本 剛¹、松尾 慎治^1,2 (1.NTT先端集積デバイス研、2.NTTナノフォトニクスセンタ)

キーワード：ヘテロエピタキシャル、ゲルマニウム

Siオフ基板上に低温成長したGe層は、ステップバンチングにより成長表面に大きなラフネスが生じることが判明した。また、この表面ラフネスは成長後アニールにより低減されることがわかった。