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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-B9-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2016年9月16日(金) 09:00 〜 13:00 B9 (展示ホール内)

小西智也(阿南高専)、三浦広平(住友電工)

12:30 〜 12:45

[16a-B9-14] InAs/GaAs(001)系の表面エネルギーと成長様式に関する理論的検討

〇海田諒¹、秋山亨¹、中村浩次¹、伊藤智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：InAs/GaAs(001)、ぬれ層