[16a-B9-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-B9-4] InP基板上のMBE成長GaSb層の特性評価

〇河村 裕一¹、史 豊銓¹、三浦 広平²、猪口 康博² (1.大阪府立大工、2.住友電工)

キーワード：化合物半導体

波長3µm以上の中赤外センサの材料としてtype-II InAs/GaSb多重量子井戸(MQW)が有望視されている。しかし通常基板として用いられるGaSbは赤外光の透過率が低く、2次元センサアレイ等の裏面入射のセンサの作製には基板の除去が必要である。透過率の高いGaAs基板を使用した例もあるがGaSbとの格子定数差が7.8%あり成長が難しい。我々はGaSbとの格子定数差が3.9%で、かつ透過率が高いInP:Fe基板にGaSbバッファ層及びInAs/GaSb MQW層を成長し、カットオフ波長が約6µmの中赤外センサを実現している。今回、分子線エピタキシー (MBE) 法により様々な成長条件でInP基板上にGaSb層を成長し、その特性評価を行ったので報告する。