[16a-B9-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-B9-6] GaSbの電気伝導率の二軸性歪み依存性

〇岸本 秀輝¹、畑山 拓也¹、赤石 暁¹、中村 淳¹ (1.電通大院基盤理工)

キーワード：半導体、電気伝導率、二軸性歪み

GaSb(111), (001)面内の二軸性歪みがバルクと薄膜の電気伝導に与える影響を理論計算によって解析した。バルクに(111)面内歪みを与えた場合、電気伝導率はホール濃度が高いと圧縮歪みとともに増加するが、ホール濃度が低いと歪みゼロで最大となった。(001)面内歪みでは、ホール濃度が低いと(111)とよく似た傾向が見られたが、ホール濃度が高いと電気伝導率は引っ張り歪み時にも増加した。電気伝導率向上のメカニズムと薄膜化の影響についても議論する。