[16a-B9-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [16a-B9-8] シリコン(100) ジャスト基板上 InAs/GaAs 量子ドットの直接成長

〇權 晋寛¹、李 珠行²、影山 健生¹、渡邉 克之²、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子、2.東大生研)

キーワード：量子ドット、分子線エピタキシー、ヘテロエピタキシー

InAs/GaAs 量子ドットの Si (100) 基板上直接成長技術は、シリコン基盤フラットフォームでの高 効率光源のモノリシックな集積化のため重要である。従来ではヘテロ界面で生じる高い密度の転位の低減ため、オフ角傾斜つき、またはパターン化された Si (100) 基板を利用した報告が主流であった。しかし、CMOSプロセス互換性や導波路結合などに関する問題点を持っている。今回我々はパタ ーン化してない Si (100) ジャスト基板に最適化された Al_0.3Ga_0.7As 種層及び GaAs バッファー層を成長させることで、良質な光学特性を持った InAs 量子ドットを形成できたので報告する。