[16a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-C302-12] 窒化したp型SiC MOSキャパシタにおける反転層の形成

〇(M1)唐本 祐樹¹、岡本 大¹、原田 信介²、染谷 満²、畠山 哲夫²、小杉 亮治²、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大、2.産総研)

キーワード：炭化ケイ素

NO-POAを行ったp型4H-SiC MOSキャパシタの特性を調査した。NO-POA時間に寄らずC-V特性は反転特性を示した。p⁺ガードリング付p型MOSキャパシタでは反転特性を示さず深い空乏状態となった。これらより、NO-POAによってSiO2/SiC界面のSiC表面にドープされた窒素がドナーとなり電子を供給し、それらがゲート電極下に集まり反転層が形成されたと考えられる。