[16a-C32-1~12] 3.8 Optical measurement, instrumentation, and sensor

[16a-C32-1] Nonlinear behavior of Silicon Photodiodes due to surface recombination charge

〇Minoru Tanabe¹ (1.AIST NMIJ)

Keywords:Silicon photodiode, Nonlinearity, Surface recombination

シリコンフォトダイオード(Si-PD)は、絶対光パワー計測、広範な光パワーや波長範囲での測定が可 能な光検出器の一つである。ところが、Si-PDの個体によっては、入射波長に対して応答が増加する非直線性(スーパリニアリティ)を示すことがある。本研究では、可視光でのSi-PDの応答非直線性を定量的に解明するため理論と実測を用いた研究を実施した。