[16a-C32-1~12] 3.8 光計測技術・機器

[16a-C32-12] エリプソメトリ測定によるSiウェハ表面の粒子検出評価

〇(M1C)鈴木 雄也¹、近藤 英一¹、渡邉 満洋¹、金 蓮花¹、濵田 聡美²、嶋 昇平²、檜山 浩國² (1.山梨大工、2.荏原製作所)

キーワード：エリプソメトリ

半導体製造過程における化学機械研磨ではウェハ表面上の残留粒子の検出が課題である。残留粒子の検出にはレーザーによる光散乱法が用いられている。しかし、光散乱方法ではマイクロラフネスと残留粒子の分離が困難になっているため、我々は極薄表面層の構造を測定可能な分光エリプソメータに着目をした。分光エリプソメータは非接触、非破壊、高速測定が可能である。また、サブ nmの極薄表面層の構造を測定することができる。本研究は粒子密度のをコントロールしたウェハを測定しを行うことで粒子定量評価の信頼性向上とにおけるエリプソメトリの有用性を確認することを目的とした。