[16a-P3-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-P3-2] スパッタリング法により作製したβ-FeSi₂ 多結晶薄膜のPL スペクトル

〇池田 修哉¹、扇 和也¹、飯沼 元輝¹、村社 尚紀¹、寺井 慶和¹ (1.九工大情報工)

キーワード：半導体、シリサイド、PL