[16a-P3-1~11] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16a-P3-9] Evaluation of GaAsN/GaAs using Photoluminescence and X-ray Reciprocal Space Mapping

〇Takuya Odaka¹, Takuya Kurosawa¹, Ryuki Taniguchi¹, Akimi Yamane¹, Miki Fujita², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.NIT, Ichinoseki College)

Keywords:GaAsN, GaNAs, critical thickness

GaAsNは低N組成でバンドギャップエネルギー(Eg)が大きく減少する。そのため、GaAs基板上に成長できる低Egの材料として期待されている。しかしながら、GaAsNのN組成が高くなると、GaAsとの格子不整合率が高くなる。このため、GaAsN/GaAsヘテロ構造の成長は、臨界膜厚を考慮する必要がある。そこで、本研究では、GaAsN/GaAsヘテロ構造を成長し、PL測定とX線RSMを用いて、GaAsN層を評価した。また、臨界膜厚の理論計算を行い、上記結果と比較を行ったので報告する。