[16a-P3-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-P3-9] PL測定とX線逆格子マップを用いたGaAsN/GaAsの評価

〇尾高 拓弥¹、黒澤 拓也¹、谷口 龍希¹、山根 陽美¹、藤田 実樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

キーワード：GaAsN、GaNAs、臨界膜厚

GaAsNは低N組成でバンドギャップエネルギー(Eg)が大きく減少する。そのため、GaAs基板上に成長できる低Egの材料として期待されている。しかしながら、GaAsNのN組成が高くなると、GaAsとの格子不整合率が高くなる。このため、GaAsN/GaAsヘテロ構造の成長は、臨界膜厚を考慮する必要がある。そこで、本研究では、GaAsN/GaAsヘテロ構造を成長し、PL測定とX線RSMを用いて、GaAsN層を評価した。また、臨界膜厚の理論計算を行い、上記結果と比較を行ったので報告する。