[16a-P4-1~8] 13.3 絶縁膜技術

△ [16a-P4-2] 大気圧プラズマCVDによるSiO_Xゲート絶縁膜の低温形成と構造・特性評価

〇(M1)木元 雄一朗¹、田牧 祥吾¹、寺脇 功士¹、鎌田 航平¹、大参 宏昌¹、垣内 弘章¹、安武 潔¹ (1.阪大院工)

キーワード：プラズマCVD、ゲート絶縁膜、シリコン酸化膜