[16a-P5-1~32] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [16a-P5-10] Study on low-temperature embedded growth over III-nitride nanowires

〇(M1)Hiroki Shibuya¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Akasaki Research Center, Nagoya Univ.)

Keywords:nanowire

GaNナノワイヤは非極性面であるm面を主面に持つ貫通転位フリーの微小結晶であり、その上にCore-Shell型 MQWを作製することで新規のLEDやレーザの実現が期待される。この発光層へ均一に電流注入を行うための電流拡散層として低抵抗のn-GaNを用いることが有効であると考え、実験を行った。結果、高V/III比において良好な埋め込み形態が得られた。成長条件の更なる最適化により、完全な平坦面を形成できる可能性が示された。