[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-P5-11] 4H-SiC微傾斜基板上に作製した自己組織化InN/GaNドットの配列性制御

〇(M1)松岡 圭佑¹、八木 修平¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：量子ドット 配列、InN/GaN、微傾斜基板