[16a-P5-1~32] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16a-P5-15] Spatially Resolved Evaluation of Surface Plasmon Enhanced Photoluminescence of InGaN/GaN Quantum Wells

〇(D)Kazutaka Tateishi¹, Mitsuru Funato², Yoichi Kawakami², Koichi Okamoto¹, Kaoru Tamada¹ (1.Kyushu-Univ. IMCE, 2.Kyoto Univ. Engineering)

Keywords:InGaN QWs, surface plasmon, Spatially Resolved Evaluation

金属薄膜上の表面プラズモンを用いたInGaN系QWsの発光増強のメカニズムをより深く理解するため、発光スペクトルのマッピング測定を行った。InGaN系QWsはその発光波長域・結晶の状態等に応じて発光のピーク強度-波長間に一定の相関を示すことが知られるが、本測定の結果、銀薄膜存在下で起きる内部量子効率の上昇を主な機構とした発光増強が観測される際にはこの相関関係に大きな変化が現れることが確認された。