[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-P5-21] RF-MBE法による低温GaN緩衝層を挿入したAl薄膜上GaN成長検討

〇上原 和樹¹、星川 侑也¹、尾沼 猛儀¹、山口 智広¹、本田 徹¹ (1.工学院大)

キーワード：分子線エピタキシー、窒化ガリウム