[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-P5-24] カーボンナノチューブ/GaN 界面のp-GaN 電極への応用

〇横川 俊哉¹、三宅 祥太¹、毛利 裕治¹、中山 雅晴¹ (1.山口大工)

キーワード：窒化物半導体、カーボンナノチューブ、コンタクト抵抗

窒化物系半導体を用いたパワーデバイスや高出力LED の開発が活発に行われている。このデバイスの大電流動作では多くの発熱を伴うため、効率的な熱放散が必要とされる。カーボンナノチューブ(CNT)は極めて高い熱伝導率と電気伝導率を持ち、電極や配線材料として期待される。前回n-GaN 上の金属性多層カーボンナノチューブ電極におけるショットキー電極特性から障壁高さおよび仕事関数を見積もった。その結果から従来のp-GaN に対して用いられるNi やPd などに近い仕事関数であることが分かった。そこで今回、p-GaN 上に金属性多層カーボンナノチューブ電極を形成し、そのコンタクト抵抗などの評価を行ったので報告する。