[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [16a-P5-29] 金属GaあるいはGaNをターゲットとして用いたスパッタ法によるGaN薄膜の作製

〇石川 崚¹、磯崎 勇児¹、山下 雄一郎²、八木 貴志²、賈 軍軍¹、竹歳 尚之²、中村 新一¹、重里 有三¹ (1.青学大理工、2.産総研)

キーワード：GaN、スパッタリング、半導体