[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-P5-32] 数値解析による InGaN/GaN 多重量子井戸内の圧縮歪みに対する補償
効果の検討

〇向山 裕次¹、M.E. Rudinsky²、K. A. Bulashevich²、E.V. Yakovlev² (1.STR Japan株式会社、2.STR Group)

キーワード：数値計算、エピタキシャル成長、窒化物