[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-P5-9] 窒素極性InN(000-1)薄膜結晶性のMOVPE成長温度依存性

〇赤坂 哲也¹、Schied Monika¹、熊倉 一英¹ (1.NTT物性基礎研)

キーワード：窒化インジウム、有機金属気相エピタキシ

窒素極性(000-1)面は窒素のバックボンドが多いため、In極性(0001)と比較して窒素が脱離しにくい。すなわち、窒素極性(000-1)面では、InNの成長温度をより高くして結晶性や表面平坦性の向上が期待できる。本研究では、窒素極性InN(000-1)薄膜をMOVPE法によりGaNバルク基板上に成長した。成長した窒素極性InN(000-1)薄膜の結晶性や光学特性の成長温度依存性について系統的に検討した結果について報告する。