[16a-P6-1~9] 15.8 Crystal evaluation, impurities and crystal defects

[16a-P6-9] Evaluation of SiC crystal with laser annealing (4)

〇mizuki uchimori¹, Fulvio Mazzamuto², Tetsuya Nagai³, Katsuhiko Nakai³, Shuichi Ono⁴, Manabu Arai⁴, Hidekazu Yamamoto¹ (1.Chiba Institute of Technology, 2.SCREEN Semiconductor Solutions/LASSE, 3.Nippon Steel & Sumikin Technology, 4.New Japan Radio Co., Ltd.)

Keywords:SIC, Raman spectroscopy, laser annealing

SiCパワーデバイスの製造プロセスの課題に1700℃以上の活性化高温熱処理がある。前回、メルトアニールを適用したウエハ表面には3C-SiCの双晶が形成されていることを確認。今回、ラマン分光法を用いて、メルトアニールを適用した4H-SiCウエハ表面に形成された3C-SiCの双晶の評価を行った。