9:30 AM - 11:30 AM
[16a-P6-9] Evaluation of SiC crystal with laser annealing (4)
Keywords:SIC, Raman spectroscopy, laser annealing
SiCパワーデバイスの製造プロセスの課題に1700℃以上の活性化高温熱処理がある。前回、メルトアニールを適用したウエハ表面には3C-SiCの双晶が形成されていることを確認。今回、ラマン分光法を用いて、メルトアニールを適用した4H-SiCウエハ表面に形成された3C-SiCの双晶の評価を行った。