[16a-P6-1~9] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[16a-P6-9] レーザーアニールSiCの結晶性評価 (4)

〇内盛 瑞記¹、マッツァムト フルビオ²、永井 哲也³、中居 克彦³、小野 修一⁴、新井 学⁴、山本 秀和¹ (1.千葉工大工、2.SCREENセミコンダクターソリューションズ/LASSE、3.日鉄住金テクノロジー株式会社 富津事業所 解析ソリューション部、4.新日本無線(株))

キーワード：SIC、ラマン分光法、レーザーアニール

SiCパワーデバイスの製造プロセスの課題に1700℃以上の活性化高温熱処理がある。前回、メルトアニールを適用したウエハ表面には3C-SiCの双晶が形成されていることを確認。今回、ラマン分光法を用いて、メルトアニールを適用した4H-SiCウエハ表面に形成された3C-SiCの双晶の評価を行った。