2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-A21-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年9月16日(金) 13:15 〜 15:30 A21 (メインホールA)

小島 一信(東北大)

13:15 〜 13:30

[16p-A21-1] InGaNナノコラムにおいて構造特性が発光機構に与える影響

〇(PC)大音 隆男1、水野 祐太郎1、柳原 藍1、宮川 倫1、吉田 純1、榊原 直樹1、江馬 一弘1,2、岸野 克巳1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)

キーワード:ナノコラム、ナノワイヤ、InGaN

前回の発表で,DGaNDcではGaNナノコラムとほぼ同一のコラム径を保ったまま,In組成の均一なInGaNが成長しているのに対し,DGaN>Dcでは自発的にInGaN/InGaN core-shell構造を有することがわかった.ここで,Dcは臨界コラム径である.本発表では,構造特性の違いが発光機構に与える影響を系統的に調査し,ナノ構造で高効率化を律速している表面再結合の影響について議論した.