[16p-A21-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-A21-5] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法で作製したInGaN/GaNナノ構造のオゾン水パッシベーション

〇小川 航平¹、水谷 友哉¹、石嶋 駿¹、生江 祐介¹、松岡 明裕¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテクセンター)

キーワード：窒化物半導体、ナノ構造、パッシベーション

水素雰囲気中におけるGaNの熱分解反応を利用した低加工損傷のエッチング技術である水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)で作製したInGaN/GaN系ナノ構造に対して、飽和オゾン水を用いたパッシベーションを提案し、その効果を調査した。