2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-A21-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年9月16日(金) 13:15 〜 15:30 A21 (メインホールA)

小島 一信(東北大)

14:45 〜 15:00

[16p-A21-7] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法による微細(≤ 10 nm)InGaN量子構造の作製

〇(M1)石嶋 駿1、水谷 友哉1、小川 航平1、生江 祐介1、松岡 明裕1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテクセンター)

キーワード:窒化物半導体、ナノ構造