[16p-A21-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-A21-7] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法による微細(≤ 10 nm)InGaN量子構造の作製

〇(M1)石嶋 駿¹、水谷 友哉¹、小川 航平¹、生江 祐介¹、松岡 明裕¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテクセンター)

キーワード：窒化物半導体、ナノ構造