The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

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Oral presentation

Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[16p-A22-1~6] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Fri. Sep 16, 2016 12:45 PM - 2:15 PM A22 (Main Hall B)

Hiroyuki Nishinaka(Kyoto Inst. of Tech.)

1:30 PM - 1:45 PM

[16p-A22-4] Solid-phase crystallization of amorphous CuCrO2 thin films deposited by RF magnetron sputtering using Ar/N2 mixture gas

Hiroshi Chiba1,2, Naotoshi Hosaka1, Tomoyuki Kawashima1, Katsuyoshi Washio1 (1.Tohoku Univ., 2.JSPS Research Fellow)

Keywords:delafossite, solid-phase crystallization, RF magnetron sputtering

これまでにRFマグネトロンスパッタ法によるCuCrO2薄膜形成において、アルゴン窒素混合(Ar/N2)ガス利用による定比性の改善効果と、アモルファスからの熱処理を用いた固相成長による傾斜配向抑制を見出している。本研究では、Ar/N2ガスにより定比性制御したアモルファスCuCrO2薄膜の固相成長を検討した。発表では、アモルファス膜の定比性と固相成長による配向性の関係について述べる。