[16p-A22-1~6] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16p-A22-5] MBE 成長した単結晶WO₃ 薄膜のエレクトロクロミック特性（2）

〇村山 喬之¹、桒形 航行¹、原田 義之¹、小池 一歩¹、佐々 誠彦¹、矢野 満明¹、稲葉 克彦²、小林 信太郎² (1.大工大 ナノ材研、2.リガク X線研究所)

キーワード：WO3、MBE、エレクトロクロミック

前回我々は，r面サファイア基板上にMBE法で成膜したmonoclinic (γ) WO₃薄膜を溶液ゲートタイプのエレクトロクロミック素子へ加工して，バイアス印加によるプロトンのインターカレーション効果を調べた．今回，我々はr面サファイア基板上に基板温度200℃の低温でMBE成長を行い，アモルファス膜を準備し，単結晶膜の結果と比較した．