[16p-A22-1~6] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[16p-A22-6] Effect of cation doping on amorphous ZnON thin films

〇Kei Shigematsu¹, Takanori Yamazaki², Shoichiro Nakao¹, Yasushi Hirose^1,2, Tetsuya Hasegawa^1,2 (1.KAST, 2.Univ. of Tokyo)

Keywords:amorphous semiconductor, oxynitride, pulsed laser deposition

本研究ではアモルファス半導体ZnO_xN_y(ZnON)について、カチオン添加によりプロセスウインドウ・物性・化学的安定性が受ける影響を調べた。Gaを添加したZnOターゲットからZnON薄膜を合成したところ、光学吸収端が高エネルギー側にシフトすると同時にキャリア濃度の低下が見られた。この結果は、Ga添加により薄膜中の酸素量が増大している可能性を示唆している。