[16p-A22-1~6] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-A22-6] アモルファス半導体ZnON薄膜へのカチオン添加効果

〇重松 圭¹、山﨑 崇範²、中尾 祥一郎¹、廣瀬 靖^1,2、長谷川 哲也^1,2 (1.KAST、2.東大院理)

キーワード：アモルファス半導体、酸窒化物、パルスレーザー堆積法

本研究ではアモルファス半導体ZnO_xN_y(ZnON)について、カチオン添加によりプロセスウインドウ・物性・化学的安定性が受ける影響を調べた。Gaを添加したZnOターゲットからZnON薄膜を合成したところ、光学吸収端が高エネルギー側にシフトすると同時にキャリア濃度の低下が見られた。この結果は、Ga添加により薄膜中の酸素量が増大している可能性を示唆している。