2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[16p-A24-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

2016年9月16日(金) 13:15 〜 16:15 A24 (201A)

大平 圭介(北陸先端大)、齋 均(産総研)

13:30 〜 13:45

[16p-A24-2] 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた単結晶シリコン太陽電池のリンイオン注入エミッタにおけるドーパント分布の定量測定

廣瀬 光太郎1、棚橋 克人2、高遠 秀尚2、長 康雄1 (1.東北大、2.産総研)

キーワード:半導体、容量、走査型プローブ顕微鏡

太陽電池のエミッタにおけるドーパント分布は,光の吸収や電界分布,電極との接触抵抗などに関わるため,重要な評価対象である.今回我々は走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)を用いて太陽電池エミッタ断面を測定し,ドーパント濃度分布を定量することに成功した.ドーパント濃度は太陽電池表面からバルクに向かい,指数関数的に減少していた.