[16p-A24-1~11] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[16p-A24-6] Surface morphology of light trapping structure using a Ge dot mask grown by solid source MBE for crystalline Si solar cells

〇(M1)Atsushi Hombe¹, Yasuyoshi Kurokawa¹, Dmitrij Yuasov², Alexey Novikov², Noritaka Usami¹ (1.Nagoya Univ., 2.IPM RAS)

Keywords:light trapping, solar cell, Ge dot structure

固体ソース分子線エピタキシー法によりSi(100)基板上にGeドット構造を成長させた。その試料をアルカリ溶液で処理することによりGeドットをマスクのように機能させSi基板表面上にナノスケールの太陽電池用光閉じ込め構造を作製した。Geドット成長条件による表面形態の変化と、その形態変化が光学特性に与える影響について調査した。