[16p-A24-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

[16p-A24-8] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiN_x-Si界面の評価

〇伊藤 明¹、望月 敏光³、高瀬 恵宏¹、中西 英俊¹、棚橋 克人³、Mitchell Jonathon³、川山 巌²、斗内 政吉²、白澤 勝彦³、高遠 秀尚³ (1.SCREEN、2.阪大レーザー研、3.産総研)

キーワード：太陽電池、テラヘルツ波、パッシベーション膜

SiN_x膜評価のためにレーザーテラヘルツ放射顕微鏡(LTEM)で測定を行い、C-V測定との比較を行った。サンプルにはn型Siウェハ表面にSiN_x膜を堆積させた上からITO透明電極を付けたMIS構造を用いた。THz波ピーク振幅のバイアス依存性とC-V特性とを突合せると、電圧シフトが見られたが、形状には相関性があることを確認した。LTEMは太陽電池のパッシベーション膜を含む半導体界面の内部電界を非侵入的に可視化する検査手法となる可能性がある。