[16p-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16p-B1-12] 電極プロセスがAlGaN/GaN HEMTの耐圧に与える影響

〇牧野 伸哉¹、大井 慎太郎¹、山崎 泰誠¹、Asubar Joel¹、徳田 博邦¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：AlGaN/GaN HEMT、耐圧、電極形成プロセス

AlGaN/GaN HEMTは高耐圧、低損失のパワースイッチング用デバイスとして期待されている。パワースイッチング用デバイスの開発では、オン抵抗の低減のため、出力電流の高電流化が重要となる。しかし、高出力電流のためにゲート幅を大きくすると、耐圧が劣化する傾向が見られた。この原因を明らかにするため、本研究では、電極形成プロセスのリフトオフ時の超音波洗浄時間とオーミック電極の熱処理温度が耐圧に与える研究について検討した。